"Αξιοπιστία και οφέλη των παράλληλα συνδεδεμένων MOSFET από Καρβίδιο του Πυριτίου"

Η προτεινόμενη διδακτορική διατριβή έχει ως σκοπό τη διερεύνηση της αξιοπιστίας και των οφελών που προσφέρει η χρήση ημιαγώγιμων διακοπτών από καρβίδιο του πυριτίου (SiC) σε εφαρμογές των ηλεκτρονικών ισχύος όπου απαιτούνται υψηλές τιμές ρευμάτων σε συνθήκες υψηλής τάσης και θερμοκρασίας. Πιο συγκεκριμένα, η χρήση MOSFETs από καρβίδιο του πυριτίου φαίνεται να κερδίζει έδαφος σε σχέση με άλλους ημιαγώγιμους διακόπτες από πυρίτιο (π.χ. MOSFETs και IGBTs πυριτίου) και καρβίδιο του πυριτίου (π.χ. JFET SiC), εξαιτίας της μονοπολικής κατασκευής τους, της εύκολης και απλής οδήγησής τους, του γεγονότος ότι πρόκειται για ημιαγωγούς που βρίσκονται κανονικά σε κατάσταση μη αγωγής (normally off) και βεβαίως, επειδή διαθέτουν εξαιρετικά ηλεκτρικά και θερμικά χαρακτηριστικά. Η ανάγκη για χρήση ενός τέτοιου διακόπτη σε εφαρμογές μετατροπέων υψηλού ρεύματος οδηγεί στην παράλληλη σύνδεση SiC MOSFETs. Η συστηματική μελέτη των προβλημάτων που δημιουργούνται από τον εν λόγω παραλληλισμό, η οποία περιλαμβάνει την μοντελοποίηση των ημιαγωγών, προσομοίωση των συνθηκών λειτουργίας τους και προτάσεις σχετικά με τοπολογίες και τεχνικές ελέγχου για την αξιόπιστη χρήσης τους σε εφαρμογές που επιδιώκεται βέλτιστη χρήση και εξοικονόμηση της ηλεκτρικής ενέργειας, αποτελεί βασικό στόχο της διατριβής αυτής.